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XYCOM XVME-100 内存模块
时间: 2025-12-30浏览次数：
XYCOM XVME-100 内存模块
XYCOM XVME-100 内存模块
产品概述与核心定位
产品定义：XYCOM XVME-100 是一款面向工业控制系统的单高（3U）VMEbus 兼容内存扩展模块，旨在为 VMEbus 架构系统提供 RAM、EPROM、掩膜 ROM 或 EEPROM 存储扩展，支持灵活配置与数据备份。
核心价值：
高兼容性：完全符合 VMEbus C.1 标准，可无缝接入 VMEbus 系统；
灵活扩展：双存储组设计，支持多种容量、类型的存储芯片，适配不同场景需求；
数据安全：板载电池备份与欠压保护电路，防止电源故障导致数据丢失；
独立配置：通过跳线实现存储组地址、芯片速度、备份电源等参数独立设置。
适用场景：工业自动化控制、军用电子设备、嵌入式系统等需要可靠内存扩展的 VMEbus 架构设备。
关键规格参数
（1）核心性能参数表
项目 具体规格
存储容量 RAM/EPROM/ 掩膜 ROM：最大 1MB；EEPROM：最大 256KB
存储组设计 2 组（Bank1/Bank2），每组 4 个 32 针 JEDEC 插槽，支持独立配置
适配芯片规格 容量：8K×8、16K×8、32K×8、64K×8、128K×8（EEPROM 限 32K×8 及以下）；
速度：100ns、150ns、200ns、250ns
电源要求 工作电源：+5V DC（典型 900mA，最大 1A）；
备份电源：板载电池（1.4Ah，典型寿命 6 年）或 + 5V STDBY
总线兼容 VMEbus C.1 标准，A24 地址空间，DTB 从设备
物理规格 3U Form Factor（单高），尺寸符合 VMEbus 标准
（2）环境与可靠性参数表
环境类别 具体规格
工作温度 0°C ~ 65°C（32°F ~ 149°F）
存储温度 -40°C ~ 85°C（-40°F ~ 158°F）
湿度 5% ~ 95% RH，非冷凝（极低湿度需防静电保护）
海拔 工作：0 ~ 3048m（10,000ft）；存储：0 ~ 15240m（50,000ft）
振动（工作） 5 ~ 2000Hz，峰值加速度 10g，峰峰值位移 0.025mm（最大）
冲击（工作） 30g 峰值加速度，11ms 持续时间
核心功能与设计亮点
（1）存储与配置功能
双存储组独立配置：Bank1 和 Bank2 可通过跳线分别设置 VME 地址、芯片尺寸、地址修饰符解码、芯片速度、备份电源类型，支持不同规格芯片混用；
多类型存储支持：兼容 RAM、EPROM、掩膜 ROM、EEPROM 四种存储类型，EEPROM 需支持快速写入 / 轮询技术及 TTL 逻辑电平；
地址空间灵活分配：通过 J14-J24（Bank1）、J16/J26-J33（Bank2）跳线设置基地址，存储组占用地址空间为芯片容量的 4 倍，需对齐至 4 倍容量边界。
（2）数据保护机制
欠压保护：内置电源监视器，当 +5V 电压低于 4.75V 时自动禁用存储芯片，防止数据写入错误，可选启用 SYSRESET* 驱动信号；
备份电源双选项：支持板载电池备份（适配低功耗 RAM 芯片）或 VMEbus +5V STDBY 备份，通过 J34/J35 跳线切换；
数据防写设计：电源故障时自动切断存储芯片写入路径，结合电池备份确保 RAM 数据长期保存。
（3）总线与接口特性
VMEbus 信号兼容：支持 IACKIN*/IACKOUT* 菊花链、BUS GRANT 信号直通，符合 VMEbus C.1 标准的地址、数据、控制信号定义；
P1 连接器接口：3 行引脚设计，包含地址总线（A01-A23）、数据总线（D00-D15）、控制信号（AS*、DS0*/DS1*、DTACK * 等）及电源引脚；
状态指示：每个存储组配备绿色 LED，访问时瞬时点亮，直观反馈工作状态。
安装与配置流程
（1）跳线配置关键项
配置类别 跳线位置 核心功能
地址 / 芯片尺寸 Bank1：J14/J17-J24/J50-J52；
Bank2：J16/J26-J33/J47-J49 设置 VME 基地址（A15-A23）与芯片容量（8K×8~128K×8）
地址修饰符解码 Bank1：J10-J13；
Bank2：J9/J12/J15 配置特权访问（仅超级用户 / 所有用户）、数据 / 程序空间访问权限
芯片速度选择 Bank1：J6-J7；
Bank2：J4-J5 匹配存储芯片速度（100ns/150ns/200ns/250ns）
存储芯片引脚定义 Bank1：J40-J46；
Bank2：J2/J3/J25/J36-J39 适配不同类型存储芯片的引脚定义（如 EPROM/RAM 引脚差异）
备份电源选择 J34-J35 切换电池备份 /+5V STDBY 备份 / 无备份模式
（2）安装步骤
芯片安装：断电状态下，根据存储类型配置对应跳线，将存储芯片对准插槽缺口方向，均匀用力插入 32 针插槽，确保引脚完全接触；
机架部署：将模块对准 VMEbus 机架导轨，缓慢推入至连接器完全啮合，用螺丝固定前端面板，单模块占用 1 个 3U 插槽；
可选 6U 面板安装：如需适配 6U 机架，可更换 XVME-945 6U 前端面板套件，按手册步骤转移手柄与标识牌；
校准电源监视器：出厂已校准，如需重新校准，需通过 4.75V 参考电源调整 POT R3 电位器，确保欠压保护触发阈值准确。
安全与使用注意事项
电池安全：禁止短路、充电、反向连接、焊接或加热电池，废弃需按工业废料处理，避免高温与金属表面接触；
静电防护：操作模块与存储芯片时需释放人体静电，尤其 CMOS RAM 芯片对静电敏感；
安装禁忌：禁止带电插拔模块，插入时避免用力过猛导致引脚弯曲，确保模块与机架导轨对齐；
EEPROM 特殊要求：EEPROM 需支持快速写入 / 轮询技术，且必须使用 TTL 逻辑电平，否则可能导致工作异常。
