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TOSHIBA分立IGBT产品指南
时间: 2026-01-26浏览次数：
TOSHIBA分立IGBT产品指南东芝分立 IGBT 产品指南，核心介绍了 IGBT（绝缘栅双极晶体管）融合 MOSFET 高输入阻抗与双极晶体管高压驱动的优势，具有快速开关、低饱和电压、多种封装形式等特点，电压覆盖 300V-1500V、电流涵盖 8A-200A，适用于通用逆变器、IGBT 炊具、闪光灯、等离子显示屏等多领域，同时呈现了产品技术演进趋势、详细产品阵容、封装尺寸及海外分支机构信息，
TOSHIBA分立IGBT产品指南
东芝分立 IGBT 产品指南，核心介绍了 IGBT（绝缘栅双极晶体管）融合 MOSFET 高输入阻抗与双极晶体管高压驱动的优势，具有快速开关、低饱和电压、多种封装形式等特点，电压覆盖 300V-1500V、电流涵盖 8A-200A，适用于通用逆变器、IGBT 炊具、闪光灯、等离子显示屏等多领域，同时呈现了产品技术演进趋势、详细产品阵容、封装尺寸及海外分支机构信息，支持现货与定制采购。
IGBT 核心定义、结构与优势
定义：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管），融合 MOSFET 高输入阻抗与双极晶体管高压驱动优势
结构：四层（pnpn）平面结构，通过 pnp 晶体管实现导电调制，降低饱和电压
核心特性：
快速开关能力，载流子注入与复合率低
大电流区域仍保持低集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）
内置适配特定应用的优化二极管
高输入阻抗支持电压驱动
提供 TSON-8、SOP-8、TO-220 系列、TO-3P 系列等多种封装
对比优势：相比功率 MOSFET，在高电压场景下导通损耗更低，解决了 MOSFET 导通电阻随击穿电压升高而激增的问题
技术参数与演进趋势
关键参数范围：
参数类型 范围 典型值
击穿电压（VCES） 300V-1500V 600V、900V、1200V（主流）
集电极电流（IC） DC 8A-50A、脉冲 20A-200A 30A、50A、60A（常用）
饱和电压（VCE (sat)） 1.45V-2.3V 1.6V（6 代产品）、1.9V（5 代产品）
开关频率 硬开关最高 20kHz、快速开关最高 50kHz -
结温（Tj） 150℃-175℃ 175℃（高端产品）
技术演进趋势：
核心优化方向：优化晶圆设计、减小图形尺寸、改进载流子寿命控制技术
世代特点：3 代（高鲁棒性）→4 代（沟槽栅结构）→5 代（优化载流子注入）→6/6.5 代（RC 结构 / 更薄晶圆）→7 代（高电流适配）
产品阵容分类（按应用场景）
通用逆变器系列
高鲁棒性系列（3 代）：600V/1200V，IC 10A-50A，TO-3P (N) 封装，VCE (sat) 2.1V
快速开关系列（4 代）：600V，IC 30A-50A，开关时间 0.05μs，TO-3P (N)/TO-3P (LH) 封装
低频开关系列：600V，IC 30A-40A，适配部分开关转换器
软开关应用系列（适配 IGBT 炊具、微波炉、多功能打印机）
电压谐振型：900V-1050V，IC 15A-60A，6.5 代 RC-IGBT 集成续流二极管
电流谐振型：600V，IC 30A-60A，内置 FRD（快恢复二极管），VCE (sat) 低至 1.55V
高压型：1500V，IC 40A，TO-3P (N) 封装，Tj=175℃
闪光灯应用系列（适配数码相机、单反相机）
栅极驱动电压：2.5V-4.0V（兼容相机 3.3V/5V 电源）
关键参数：400V，IC 130A-200A，TSON-8/SOP-8 封装，内置 ESD 保护齐纳二极管
代表型号：GT8G151（7 代，150A）、GT10G131（5 代，200A）
等离子显示屏（PDP）应用系列
电压等级：300V、330V、430V、600V
电流规格：200A（3μs 脉冲），VCE (sat) 1.45V-2.5V
封装：TO-220SIS/TO-220SM (MXN)，6 代产品为主
封装尺寸与淘汰产品
主流封装尺寸（单位：mm）：
封装类型 关键尺寸 引脚定义
TSON-8 3.1×3.3×0.65 1-3 脚发射极、5-8 脚集电极、4 脚栅极
TO-220SIS 15×10×2.7 1 脚栅极、2 脚集电极、3 脚发射极
TO-3P(N) 20.0×15.9×4.5 1 脚栅极、2 脚集电极、3 脚发射极
淘汰产品：包含 MG30T1AL1、GT40M101 等型号，部分型号提供替代建议（如 GT60M322 替代为 GT60N321）
